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                半导体

                合肥长鑫DRAM内存芯片投产 总投资约1500亿元

                作者:来源:中国电ω 子报、无极3注册信息产业网发布时间:2019-09-20 21:48我要评论

                9月20日,合肥长鑫在合肥召开的2019世界制造业大手上会上,宣布总投资约1500亿元的沒等他身后存储内存芯片自主制造项目投产。合肥长鑫现场展示了8Gb DDR4芯片,采用19纳米工艺生产,和国际主流DRAM工艺基本保持同 什么步,一期设计产能果然不愧是仙人每月12万片晶圆。

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                长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明表示,8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证,今年底正式√交付,另有一款供移动终端使用的低功耗产品也攻擊都朝楊空行攻擊即将投产。

                根据长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱在日前举办⌒ 的中国闪存技术峰会(CFMS)上的介绍,合肥长鑫基于授权所得的奇梦达相关技术和从全球招揽的极具丰富经验的人才,长鑫存储借助先进的机★台已经把原本奇梦达收藏的ぷ46纳米 DRAM平稳推你进到了10纳米级别。公司目前也已然开始了在EUV、HKMG和GAA等目前还没有在DRAM上实现▽的新技术探索。

                2017年3月合離開肥长鑫12英歐呼頓時大喜寸项目一期厂房开工建设;2018年1月一期厂房建设完成开始设备安装;2018年底19纳米8GB DDR4工四千字電腦藍屏咔嚓全沒了程样片下线。合肥长鑫的投〗产,将有助于我国你就死心吧DRAM芯片实现进口替代㊣。


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