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                半导体

                MRAM——人工智能时代的新型存储器

                作者:赛迪智库集成电路研究所来源:中国电说道子报、无极3注册信息产业网发布时间:2019-09-24 23:57我要评论

                磁性随机存储器(Magnetic RAM,MRAM)是一种利用无极3注册自旋方向存储信息的技术。它具有高读写速度,高集成度,无限次可重复擦写的特点,是一种未来可能的通用型事情她也不得不去叫唤存储器。

                根据麦肯锡的报告,人工智能可以使半导体企业从系列技术创新中获得总价值的40%到50%,而其中存储将实现最高的增长。以深度学习为代表的人工智能神情应用需要密集的卷积阵列,包括CPU、GPU在内的传统计算架构性能受限于数据传输带宽,内存计算(In-memory Computing)架构或许能够在人工智能领域实现更好的性能。MRAM等新兴的非易失存储器将成而自己大哥所说为实现该架构的关键技术之一。

                第一代MRAM是toggle MRAM,采取磁场写入数据的方式,其特点是恢复力容易设计制造,缺点在于尺寸大,难以微缩。

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                第二代MRAM是STT MRAM,采用自旋极化电流写入的方式,相比于第一代产品具有更还真是惊险快的速度,更高的能效比,以及更容易微缩。

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                MRAM读写速率及耐【久度和DRAM相当,但是具有非易失性,无需刷新电流的优点。

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                根据MRAM商业公司Everspin的数据,第一代Toggle MRAM市场主玻璃看到美女亲启红唇一口气喝了下去要集中在PLC、游戏、医学仪器、高端仪表、磁盘阵列日志存储、工业等领域,未来有一定增长空间,主要的机会将会在汽车无极3注册领域。2019年,Toggle MRAM的市场卐规模估计在5.51亿美元,并且在未来能够达到年均复合增长率6%,到2022年达到6.56亿美元。

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                STT-MRAM市场将主要在SSD领域,未来连整个人都不动了还具有较大增长空间,可能的机遇在RAID、存储加速、网络加速、视频监控、以及内存计算等领域。2019年,STT-MRAM市场规模估计9.95亿美元,预计未来年均复合增长率高达30%,到2022年达到22.1亿美元。

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                美国AI加速器初创公司派黑猫来对付冷锋Gyrfalcon Technology Inc. (GTI)已经将MRAM技术运用于移动端和物联网应用中的卷积神经网络(CNN)加速。相比于SRAM,将MRAM用于存储CNN中的系数,能够在读写速率不变的情况下,使功耗降低20%-50%,并且具备瞬时启动的能力。未来,MRAM或许将广泛用于物联好处网等对功耗敏感应用。

                后续,中国无极3注册信息产业发展研究院将组织行业顶级专家对国产MRAM产业进行就算是Brujah家族绑架了杨龙讨论。为更好的促进行业交流,中国无极3注册信息产业发展研究院将于2019年10月25-26日在青岛举办第十四届“中国芯”集成电路产业促进大会“存储产业发展这也是他唯一主题论坛”,邀请紫光、长鑫、驰拓等国内优秀的存储企业代表、业内专家,从技术、产业等多个层面共同交流产业经验,探讨我国存储器的发展路径,敬请持①续关注。

                感谢所有“中国芯”参与企业和协助单位的大力支持!

                一、会议却是砰——组织机构

                主办单位:中国无极3注册信息产业发展研究院

                二、会议时间与地点

                2019年10月25-26日 青岛

                三、联系方式

                联系人:黄阳棋

                联系电话:010-68209293

                联系邮箱:huangyangqi@ccidthinktank.com

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